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उज़्तुर्कहमारी कंपनी ने उत्पाद प्राप्त किया, पैकेजिंग क्षतिग्रस्त नहीं है, और चिप की गुणवत्ता भी मूल है।
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लौराएक बहुत अच्छा अनुभव. हालांकि यह मेरा पहली बार सहयोग करने के लिए था और मैं गलतियाँ करने के बारे में चिंतित था, लेकिन इस बारे में चिंता करने के लिए बहुत अधिक है,चिप प्राप्त करने और सेवा के मामले में मेरा बहुत अच्छा अनुभव रहा है।.
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राजनअच्छा उत्पाद, अगली बार खरीद लेंगे अगर कुछ चाहिए।
UCC27517ADBVT आईसी इलेक्ट्रॉनिक घटक अंगूठी चैनल उच्च गति कम कम साइड गेट ड्राइव actuator

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xमॉडल संख्या | UCC27517ADBVT | विवरण | इंगल चैनल हाई स्पीड लो लो साइड गेट ड्राइव एक्चुएटर |
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डी/सी | आमतौर पर दो साल के भीतर | वारंटी | 365 दिन |
गुणवत्ता | 100% मूल ब्रांड | पैकेजिंग विवरण | मानक बॉक्स |
स्थिति | मूल उत्पाद | शिपिंग द्वारा | चीन पोस्ट/डीएचएल/फेडेक्स/यूपीएस/टीएनटी/डीपीईएक्स/केएएस |
उच्च प्रकाश | UCC27517ADBVT /इंगल चैनल हाई स्पीड लो लो साइड गेट ड्राइव एक्चुएटर |
भाग संख्याUCC27517ADBVTद्वारा निर्मित किया जाता हैटीआईइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के अग्रणी वितरकों में से एक के रूप में, हम दुनिया के शीर्ष निर्माताओं से कई इलेक्ट्रॉनिक घटक ले जाते हैं।
अधिक जानकारी के लिएUCC27517ADBVTविस्तृत विनिर्देश, उद्धरण, लीड समय, भुगतान की शर्तें और अधिक, कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें। अपनी जांच को संसाधित करने के लिए, कृपया अपने संदेश में मात्रा जोड़ें।
उत्पाद का विवरण/पैरामीटर
आपूर्ति वोल्टेज (DC) | 4.50 वी (मिनट) |
उदय/पतन का समय | 8 एनएस, 7 एनएस |
आउटपुट इंटरफेस की संख्या | 1 |
पिनों की संख्या | 5 |
उठने का समय | 22 एनएस |
पतन का समय | 11 एनएस |
गिरने का समय (अधिकतम) | 11 एनएस |
वृद्धि समय (अधिकतम) | 22 एनएस |
ऑपरेटिंग तापमान (अधिकतम) | 140 °C |
ऑपरेटिंग तापमान (मिनट) | -40 °C |
विद्युत आपूर्ति वोल्टेज | 4.5V ~ 18V |
आपूर्ति वोल्टेज (अधिकतम) | 18 वी |
अनुशंसित सूची का भाग | ||
UCC27517DBVR | टीआई | SOT-23-5 |
UCC27524DR | टीआई | एसओआईसी-8 |
UCC27511DBVR | टीआई | SOT-23-6 |
UCC27517DBVT | टीआई | SOT-23-5 |
UCC27531DBVR | टीआई | SOT-23-6 |
UCC27524DGNR | टीआई | पावरपैड-MSOP-8 |
UCC27524D | टीआई | एसओआईसी-8 |
UCC27524DGN | टीआई | पावरपैड-MSOP-8 |
UCC27531DBVT | टीआई | SOT-23-6 |
UCC27524P | टीआई | डीआईपी-8 |
UCC27517A एकल-चैनल, उच्च गति, low-side gate driver device provides an excellent alternative to the proposed device for effectively driving metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and insulated-gate bipolar transistor (IGBTs) power switchesUCC27517a उच्च स्रोत और डूब सकता है, peak current pulses into capacitive loads that provide rail-to-rail drive capability with minimal propagation delay (13 ns typical) by using a design that inherently reduces the breakdown current significantly.
लाभ
1भागों का स्रोत कीमत निर्धारित करता है, हमारे भागों का स्रोत बहुत प्रारंभिक है।
2मात्रा के आधार पर मूल्य पर बातचीत की जा सकती है; वितरण की शर्तें;
3हम ग्राहकों को माल ढुलाई शुल्क कम करने में मदद करने का प्रयास करेंगे।
4. उत्पादों की कीमत अक्सर बदलती है, यदि आपको मूल्य उद्धृत करने की आवश्यकता है, तो कृपया उस मॉडल को सूचित करें जिसकी आपको आवश्यकता है,हम आपको उसी दिन मानक उद्धृत मूल्य के रूप में उचित मूल्य देंगे